Intel говорит о необходимости новой компьютерной памяти

Новости: 7 декабря 2011

На должность управляющего совместными проектами Intel и тайваньским институтом ITRI, о чём сообщает предыдущая новость, назначен один из ведущих инженеров Intel Labs — Ши-Лиен Лу (Shih-Lien Lu). В блоге компании инженер Intel так описывает постановку задачи перед разработчиками: максимально уменьшить задержки памяти при обращении к ней процессора или других логических цепей.

Проблема несоответствия скорости памяти и логики обрисовалась сразу же после разработки первых цифровых устройств. Сначала это были очень медленные ртутные линии задержки, затем приборы на основе ЭЛТ (трубки Уильямса), ЗУ на магнитных сердечниках и лишь в 1967 году появилась первая память DRAM (Dynamic Random Access Memory). C изобретением DRAM на какое-то время память перестала отставать от логических цепей, но по мере развития технологий зазор в производительности снова начал увеличиваться. Начиная с 80-х производительность логических цепей росла на 50 % в год, тогда как скорость памяти за тот же промежуток времени увеличивалась лишь на 7 %.

Разработчики пытались компенсировать отставание памяти (по сути — простои процессора в ожидании новой порции данных) разными путями. На сегодняшний день существует пять архитектурных процессорных решений для компенсации задержек. Из них самыми популярными являются кэширование данных и инструкций, и изменение очерёдности команд.

К сожалению, все дополнительные ухищрения повысить скорость доступа к памяти ведут к росту потребления, что совершенно не приветствуется. Особенно в сфере мобильных устройств. Между тем, по некоторым подсчётам подсистема памяти сегодня потребляет от 20 % до 40 % электроэнергии компьютера. По мере увеличения объёма ОЗУ данный показатель будет только увеличиваться. Следовательно, с памятью надо что-то делать, считают в Intel, чему подтверждением стали предпринятые компанией шаги в сторону сотрудничества с ITRI.

Необходимо изменить структуру и логику работы с массивом ячеек DRAM. Сегодня даже запрос на небольшую порцию данных активизирует значительную область кристалла памяти и обслуживающих его цепей. Не менее печальная ситуация с модулями памяти и канальной организацией доступа. Для чтения небольшого блока данных активными остаются все модули памяти и, соответственно, все чипы на планках. Ещё одним камнем преткновения является необходимость регулярной регенерации данных в памяти, что также не добавляет батарейкам жизни.

Все описанные выше проблемы будет решать тайваньский институт ITRI совместно с тайваньским отделением Intel Labs. Ближайшей разработкой, судя по всему, станет выпуск клиентского аналога памяти Hybrid Memory Cube. Компания трактует эту разработку, как пространственную 3-D компоновку чипов, способную уменьшить длины интерфейсных межчиповых соединений. В результате партнёрства должны появиться не только теоретические разработки, но и новые прототипы памяти будущего.

/Источник: Ф-Центр/

Также от 7 декабря 2011:

• Intel отправила платформу Ibex Peak "на пенсию"
• Фото и характеристики системной платы ASUS ROG Rampage IV Gene для процессоров Sandy Bridge-E
• Samsung первой представит смартфон на базе Intel Medfield
• Intel и ITRI планирует сверхэффективную и быструю память для будущих устройств
• 2011-12-06: Уровень выхода годных процессоров Trinity достаточно высок

Новости от 7 декабря >>
Декабрь 2011 >>