![]() |
Сайт о разгоне и охлаждении процессоров Для любителей высоких скоростей! ![]() |
|
|
Samsung наполнит серверы памятьюНовости: 30 апреля 2010 объявляет об увеличении производства 40 нм чипов DDR3-памяти в ответ на возросший спрос на продукцию. Всплеск активности потребителей вызван во многом представлением серии процессоров Intel Xeon 5600, так что сборщикам серверов понадобилась дополнительная память. Продукция Samsung на 40 нм техпроцессе обеспечивает снижение энергопотребления вплоть до 40% по сравнению с 60 нм динамической памятью. DDR3-память доступна с емкостью 1 Гбит, 2 Гбит и 4 Гбит, что позволяет создавать регистровые модули объемом от 1 Гб до 32 Гб. Начало производства 40 нм DDR3-памяти начато компанией Samsung в начале 2009 года.
Также от 30 апреля 2010: |
|||||||||||||||||||||||||||